本书详述了西元2010年后的实际量产之半导体技术，首先介绍基础半导体知识，以及基础的模组制程。此外，本书更以四百张以上图例，详细说明二维平面式电晶体之制程整合技术，以及三维鳍式电晶体之制程整合技术。

先进的半导体制程技术，如受应力之硅通道、高介电闸极氧化层、金属闸极、元件闸极设计考量、MOSFET 迁移率、先进的源极与汲极工程，都有详细的说明与探讨。
材料分析技术，如扫描式电子显微镜、穿透式电子显微镜、X光光谱分析、拉曼光谱仪等，都涵盖实例应用说明。
半导体制程未来发展趋势，包含有鳍式场效电晶体的微缩极限、环绕式闸极场效电晶体(GAAFET)、互补式场效电晶体 (CFET)、垂直传输场效电晶体、三维积体电路技术 (3D IC)，皆有详细说明。
本书为半导体制程与整合相关知识内容之教科书，适合大专院校相关理工科系，也适合给从事半导体产业相关人员与相关领域专家参考。

作者简介
吴永俊
现职：国立清华大学工程与系统科学系与半导体学院教授
研究领域与专长：半导体元件制程与整合、半导体元件物理与 TCAD 模拟、记忆体制程与整合；发表半导体元件制程与整合相关 SCI 期刊论文约 100 篇
英文教科书：3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
中文教科书：《三维 TCAD 模拟与 CMOS 奈米电子元件》

孙崇哲
学歷：国立清华大学工程与系统科学系博士
研究领域与专长：奈米级金氧半场效应电晶体、先进鳍式电晶体与环绕式闸极电晶体之开发、高迁移率通道工程、与半导体元件物理与 TCAD 模拟技术

颜孝丞
学歷：国立清华大学工程与系统科学系博士
研究领域与专长：奈米电子元件、鳍式场效电晶体、半导体元件物理与制程整合，与先进非挥发性记忆体

显示完整说明

会员才可增加商品标籤